Durch Verbesserung der Schaltgeschwindigkeit, Wiederherstellungszeit und anderer elektrischer Eigenschaften Ihres Silizium-Wafers, Ihrer Dioden oder IGBT können Sie Ihren Wettbewerbsvorteil erhöhen und größere Marktanteile in Ihrer Zielbranche erreichen.
Radiometrische Verarbeitung von Elektronenstrahlen (E-Beam) ist eine zuverlässige und reproduzierbare Methode zur Anpassung der Schaltgeschwindigkeit (Kontrolle der Minoritätsladungsträger-Lebensdauer von Leistungshalbleitern) vieler bipolarer Silizium-Halbleitergeräte wie IGBTs, SCRs, BPTs und GTOs. Dieses Vorgehen (Schwermetall-Diffusion zur Lebensdauerkontrolle) bietet erhebliche Vorteile gegenüber den herkömmlichen Verfahren der Gold- oder Platin-Dotierung:
- Der Elektronenstrahlbestrahlungseffekt ist durch anschließendes Tempern vollständig reversibel
- Einfach kontrollierbare Gleichmäßigkeit und hohe Reproduzierbarkeit
- Die Fähigkeit, nicht nur Wafer zu verarbeiten, sondern auch (verpackte) Endgeräte
Elektronenbestrahlung ist zuverlässig und reproduzierbar
Unsere Wafer-Box ermöglicht nicht nur die Verarbeitung von Waferstapeln in einem einzigen Durchlauf für einen kosteneffektiven Prozess, sondern erlaubt außerdem eine einheitliche Absorption der Dosis über die Stapel und durch die Wafer hinweg.
- Elektronenstrahlenergie von bis zu 12 MeV in Nordamerika, Europa und Asien
- Immer die richtige Dosisapplikation durch Einhaltung der professionellen Qualitätssicherungsverfahren
- Schnelle und zuverlässige Bearbeitungszeiten durch Erfahrungen im Bereich der nationalen und internationalen Logistik
Verwenden Sie Elektronenstrahlen um Funktionserweiterungen bei zahlreichen Halbleitern zu erreichen
- Dioden
- Thyristoren
- Abschaltthyristoren (gate turn-off thyristors, GTOs)
- Bipolartransitor mit isolierter Gate-Elektrode (Insulated Gate Bipolar Transistors, IGBTs)
- Bipolartransitor (BPT)
- Leistungs-MOSFETs (deren Body-Dioden)
- Silizium-Wafer
- Komponenten in der Branche der Solarenergie
- Komponenten in der Branche der Elektrofahrzeuge
